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新型功率半導體企業(yè)美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布，在公司快速發(fā)展的650V SiC FET硬開(kāi)關(guān)UF3C FAST產(chǎn)品系列中新增兩種TO220-3L封裝選項。 新產(chǎn)品的RDS（on）值分別為30mΩ（UF3C065030T3S）和80mΩ（UF3C065080T3S），采用行業(yè)標準的三引腳TO220-3L封裝，結合了UnitedSiC自己開(kāi)發(fā)的燒結銀（sintered-silver）封裝技術(shù)，因而具有更強的散熱性能。 對于電動(dòng)汽車(chē)充電、光伏逆變器、開(kāi)關(guān)電源、功率因數校正模塊、馬達驅動(dòng)和感應加熱等應用，設計人員正在尋求以3引腳TO220封裝實(shí)現更高性能，這些新器件是面向這些應用的理想選擇。 這兩款全新的SiC FET產(chǎn)品均基于UnitedSiC獨特的 “共源共柵”電路配置，其中常開(kāi)型SiC JFET與Si MOSFET共同封裝，以構建常關(guān)型SiC FET器件。器件的標準柵極驅動(dòng)特性允許在現有設計中真正“直接替代”Si IGBT、Si FET、SiC MOSFET或Si超結器件，設計人員能夠以更低的傳導和開(kāi)關(guān)損耗實(shí)現更高性能，同時(shí)具有更強的散熱性能和集成的柵極ESD保護。 而對于新設計，UnitedSiC FET可提供更高的開(kāi)關(guān)頻率，從而能夠實(shí)現更高效率，更小尺寸，更低的無(wú)源元件（如磁性元件和電容器）成本等顯著(zhù)系統優(yōu)勢。FAST系列器件不僅具有超低柵極電荷，而且在具有類(lèi)似額定值的任何器件中還可提供最佳反向恢復特性。如果與推薦的RC緩沖器一起使用，這些器件非常適合于開(kāi)關(guān)電感性負載，以及任何需要標準柵極驅動(dòng)的應用。 UnitedSiC UF3C FAST SiC產(chǎn)品系列現有14種器件，可提供TO247-3L、TO247-4L、TO220-3L和D2PAK7-3L封裝，并具備4種1200V和10種650V選項。 如果想獲取更多數據表等信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://unitedsic.com/cascodes/。UnitedSiC 還可提供SiC FET用戶(hù)指南，其中重點(diǎn)介紹使用RC緩沖器和快速開(kāi)關(guān)SiC器件的實(shí)用解決方案和應用指南，請訪(fǎng)問(wèn)：https://bit.ly/2wKNLhs獲取。 價(jià)格和供貨信息 以1000片最小批量計，UF3C065080T3S單價(jià)為5.18美元，UF3C065030T3S單價(jià)為13.79美元。UnitedSiC全球分銷(xiāo)合作伙伴貿澤電子（Mouser）和理察森電子（Richardson Electronics）以及其他當地分銷(xiāo)商可提供庫存。 |
