美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司（UnitedSiC）宣布將推出四種新型SiC FET，其RDS（ON）值可低至7mΩ，并可提供前所未有的性能和高效率，適用于電動(dòng)汽車(chē)（EV）逆變器、高功率DC/DC轉換器、大電流電池充電器和固態(tài)斷路器等高功率應用。在這四款全新UF3C SiC FET器件中，一款產(chǎn)品額定電壓值為650V，RDS（on）為7 mΩ，另外三款電壓額定值為1200V，RDS（on）分別為9和16 mΩ。所有器件都采用通用型TO247封裝。
這些新型SiC FET整合高性能第三代SiC JFET和共源共柵（cascode）優(yōu)化的Si MOSFET，這種電路配置能夠以常見(jiàn)的封裝形式創(chuàng )建一種快速、高效的器件，但仍然可以用與Si IGBT、Si MOSFET和SiC MOSFET相同的柵極電壓驅動(dòng)。此外，為了優(yōu)化高溫運行性能，燒結銀（sintered-silver）技術(shù)能夠為T(mén)O247封裝提供低熱阻安裝。 美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司工程副總裁Anup Bhalla解釋說(shuō)：“真正重要的是，我們實(shí)現了同類(lèi)產(chǎn)品中業(yè)界最低的RDS（ON）。除此之外，這些器件所具備的標準驅動(dòng)特性和通用封裝意味著(zhù)它們可以在各種應用中直接替代那些效率較低的器件，而只需極少或根本不需要額外的設計工作�！� UF3SC065007K4S的最大工作電壓為650V，漏極電流高達120A，RDS（ON）為6.7mΩ。UF3SC120009K4S的最大工作電壓為1200V，漏極電流高達120A，RDS（ON）為8.6mΩ。兩者均采用四引腳開(kāi)爾文（Kelvin）封裝，可實(shí)現更清潔的驅動(dòng)特性。 對于低功率設計，UnitedSiC可提供兩款產(chǎn)品，最大工作電壓為1200V，漏極電流高達77A，RDS（ON）為16mΩ。UF3SC120016K3S采用三引腳封裝，而UF3SC120016K4S則采用四引腳封裝。 這些器件的低RDS（ON）特性使得在逆變器設計中可以實(shí)現超過(guò)99％的效率，高效率的實(shí)現得益于其出色的反向恢復性能以及在續流（freewheeling）模式下的低導通壓降。 借助于這些器件，逆變器設計人員能夠使現有設計在相同的開(kāi)關(guān)速度下達到更高功率，而無(wú)需重新設計其基本電路架構，可以處理較高的電流,但不會(huì )產(chǎn)生過(guò)多的電阻發(fā)熱。 這些器件的低開(kāi)關(guān)損耗可以使設計人員在更高頻率下運行逆變器，以產(chǎn)生更清晰的輸出電流波形。通過(guò)減少磁芯損耗，可以提高所驅動(dòng)電機的效率。如果將逆變器設計為具有濾波功能的輸出，較高的運行頻率將允許使用較小的濾波器。 這些器件還能夠很好地并聯(lián)使用，以處理非常大的電流。經(jīng)過(guò)嚴格的損耗計算表明，使用六個(gè)UF3SC120009K4S SiC FET并聯(lián)構建的200kW，8kHz逆變器，其開(kāi)關(guān)損耗和傳導損耗的總和只有采用最先進(jìn)IGBT/二極管模塊構建的同類(lèi)逆變器的約三分之一。 UF3C系列SiC FET的低RDS（ON）可實(shí)現超低傳導損耗，這意味著(zhù)該器件還可以用作EV中的固態(tài)斷路器和電池斷開(kāi)開(kāi)關(guān)，這些器件可以非�？斓仃P(guān)閉非常大的電流，并且在用作斷路器時(shí)，具有自我限制特性，可控制流經(jīng)的峰值電流。該特性還可用于限制流入逆變器和電機的浪涌電流。 對于較低電池電壓的系統，UF3SC65007K4S能夠在充電電路中實(shí)現比IGBT效率高很多的系統。如果使用SiC FET來(lái)構建同步整流器來(lái)代替次級側二極管，則可以大幅度降低損耗，從而減輕充電器的冷卻負擔。例如，在工作電流為100A，占空比為50％的情況下，一個(gè)JBS二極管的傳導損耗將近100W，而UF3SC065007K4S用作同步整流器，其傳導損耗僅為45W。 價(jià)格和供貨信息 以1000片最小批量計，這些器件的單價(jià)從UF3SC0120016K3S的35.77美元，到UF3SC120009K4S的59.98美元�，F在可提供樣片，預計2020年第二季度實(shí)現量產(chǎn)。 欲獲取關(guān)于美商聯(lián)合碳化硅股份有限公司的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：http://www.unitedsic.com。 |
