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MRAM的主體結構由三層結構的MTJ構成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。,MRAM 是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有靜態(tài)隨機存儲器（SRAM）的高速讀取寫(xiě)入能力，以及動(dòng)態(tài)隨機存儲器（DRAM）的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。存儲器讀取電路是通過(guò)加載相同的電壓判斷輸出電流的大小從而判斷存儲器的信息。 everspin的最新MRAM技術(shù)利用自旋轉矩傳遞特性，即利用極化電流操縱電子的自旋，以建立自由層的所需磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進(jìn)行編程或寫(xiě)入。 與Toggle MRAM相比，自旋傳遞扭矩MRAM或STT-MRAM顯著(zhù)降低了開(kāi)關(guān)能量，并且具有高度可擴展性，從而可以實(shí)現更高密度的存儲產(chǎn)品。我們的第三代MRAM技術(shù)使用垂直MTJ。我們已經(jīng)開(kāi)發(fā)了具有高垂直磁各向異性的材料和垂直MTJ疊層設計，可提供長(cháng)數據保留，小單元尺寸，更大密度，高耐久性和低功耗。 1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一種類(lèi)似于JEDEC的DDR4接口，需要進(jìn)行一些修改才能利用MRAM技術(shù)的持久性。 這些產(chǎn)品的性能類(lèi)似于持久性DRAM，但無(wú)需刷新。計劃開(kāi)發(fā)其他產(chǎn)品，這些產(chǎn)品將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。 |
| everspin的最新MRAM技術(shù)利用自旋轉矩傳遞特性，即利用極化電流操縱電子的自旋，以建立自由層的所需磁狀態(tài)，以對存儲陣列中的位進(jìn)行編程或寫(xiě)入 |
| MRAM的主體結構由三層結構的MTJ構成：自由層（free layer），固定層和氧化層。自由層與固定層的材料分別是CoFeB和MgO。 |
| 1Gb是最新一代的STT-MRAM，利用了ST-DDR4，它是一種類(lèi)似于JEDEC的DDR4接口，需要進(jìn)行一些修改才能利用MRAM技術(shù)的持久性。 這些產(chǎn)品的性能類(lèi)似于持久性DRAM，但無(wú)需刷新。計劃開(kāi)發(fā)其他產(chǎn)品，這些產(chǎn)品將利用高速串行接口用于各種嵌入式應用。 |
