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MRAM是一種非易失性的磁性隨機存儲器。它擁有SRAM的高速讀取寫(xiě)入能力，以及DRAM的高集成度，而且基本上可以無(wú)限次地重復寫(xiě)入。MRAM是汽車(chē)應用的理想選擇存儲芯片,MRAM具有快速且不易失的特點(diǎn)。實(shí)時(shí)監控的傳感器數據可以實(shí)時(shí)寫(xiě)入，而不需要負載均衡或ECC開(kāi)銷(xiāo)。AEC-Q100 1級合格的MRAM將在發(fā)動(dòng)機罩下應用中發(fā)現的延長(cháng)溫度（-40℃至125℃）下保留數據20年。意外斷電不會(huì )影響數據完整性。 例如Everspin MR2A16A 4Mbit的MRAM存儲芯片，MR2A16A提供與SRAM兼容的35ns讀/寫(xiě)時(shí)序，具有無(wú)限的續航能力。數據在超過(guò)20年的時(shí)間內始終是非易失性的。通過(guò)低電壓抑制電路在斷電時(shí)自動(dòng)保護數據，以防止電壓超出規格時(shí)寫(xiě)入。 Everspin的MRAM技術(shù)在極端溫度范圍內非常穩健可靠，非常適合汽車(chē)市場(chǎng)對內存產(chǎn)品的要求。Everspin致力于汽車(chē)市場(chǎng)，提供一系列符合AEC-Q100標準的產(chǎn)品。涵蓋了該市場(chǎng)要求的各個(gè)方面。Everspin代理英尚微電子支持提供樣品測試及產(chǎn)品應用解決方案。 |
