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Everspin了解客戶(hù)在工業(yè)市場(chǎng)中對長(cháng)期數據保留和極端溫度支持等功能在通常惡劣的工業(yè)環(huán)境中非常重要。該技術(shù)的固有耐用性通過(guò)避免使用其他非易失性存儲器技術(shù)所需的糾錯碼和磨損均衡方案來(lái)簡(jiǎn)化和加速產(chǎn)品開(kāi)發(fā)。 Everspin的16兆位非易失性存儲芯片MR4A16BMA35 MRAM專(zhuān)為需要極高數據可靠性和速度的應用而設計，具有市場(chǎng)上最快的非易失性存儲器、對稱(chēng)的讀/寫(xiě)性能和無(wú)限的耐用性，使系統設計人員受益匪淺。這些內存功能可確保自動(dòng)化設計人員在每次發(fā)生電源中斷時(shí)都能確定性且安全地保留過(guò)程數據。除了性能之外，該技術(shù)還允許無(wú)電池生態(tài)設計。是一款適用于自動(dòng)化控制器的存儲器芯片。 Everspin MR4A16BMA35R容量為16Mb，數據結構：1Mb*16，總線(xiàn)速度：35ns工作電壓：3.3V工作溫度：C,M（-0~+70攝氏度）16位并行總線(xiàn)接口，數據保持期長(cháng)達20年以上而不會(huì )丟失，并會(huì )在掉電時(shí)由低壓抑制電路自動(dòng)提供保護，以防止在非工作電壓期間寫(xiě)入。這款并行mram器件能夠在商業(yè)級（0至+70℃）、工業(yè)級（-40至+85℃）與擴展級（-40至+105℃）溫度范圍內工作，并在整個(gè)溫度范圍內保持高度可靠的數據存儲能力。MR4A16B采用48引腳球柵陣列(BGA)小型封裝和54引腳微小外形封裝(TSOPII)。Everspin代理英尚微電子供樣品測試及技術(shù)支持。 此款并口MRAM存儲器真正無(wú)限次擦除使用，最長(cháng)的壽命和數據保存時(shí)間超過(guò)20年的非揮發(fā)特性，可取代多種存儲器，集閃存、SRAM、EEPROM以及BBSRAM的功能于一身，采用MRAM取代電池供電的SRAM方案，解決了電池組裝、可靠性以及責任方面的問(wèn)題。 |
