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公司基于FDX平臺的先進(jìn)嵌入式非易失性存儲器為低功耗、非易失性代碼和數據存儲應用提供了一種高性?xún)r(jià)比解決方案 格芯(GLOBALFOUNDRIES)今日宣布基于其22nm FD-SOI (22FDX)平臺的嵌入式、磁阻型非易失性存儲器(eMRAM)已投入生產(chǎn)。格芯正在接洽多家客戶(hù)，計劃2020年安排多次生產(chǎn)流片。此次公告是一個(gè)重要的行業(yè)里程碑，表明eMRAM可在物聯(lián)網(wǎng)(IoT)、通用微控制器、汽車(chē)、終端人工智能和其他低功耗應用中作為先進(jìn)工藝節點(diǎn)的高性?xún)r(jià)比選擇。 格芯的eMRAM產(chǎn)品旨在替代高容量嵌入式NOR閃存(eFlash)，幫助設計人員擴展現有物聯(lián)網(wǎng)和微控制器單元架構，以實(shí)現28nm以下技術(shù)節點(diǎn)的功率和密度優(yōu)勢。 格芯的eMRAM是一款可靠的多功能嵌入式非易失性存儲器(eNVM)，已通過(guò)了5次嚴格的回流焊實(shí)測，在-40℃至125℃溫度范圍內具有100,000次使用壽命和10年數據保存期限。FDX eMRAM解決方案支持AEC-Q100 2級設計，且還在開(kāi)發(fā)工藝，預計明年將支持AEC-Q100 1級解決方案。 格芯汽車(chē)、工業(yè)和多市場(chǎng)戰略業(yè)務(wù)部門(mén)高級副總裁和總經(jīng)理Mike Hogan表示：“我們將繼續通過(guò)功能豐富的可靠解決方案實(shí)現差異化FDX平臺，客戶(hù)可利用這些解決方案來(lái)構建適用于高性能和低功耗應用的創(chuàng )新產(chǎn)品。我們的差異化eMRAM部署在業(yè)界先進(jìn)的FDX平臺之上，可在易于集成的eMRAM解決方案中實(shí)現高性能射頻、低功耗邏輯和集成電源管理的獨特組合，幫助客戶(hù)提供新一代超低功耗MCU和物聯(lián)網(wǎng)應用�！� 格芯攜手設計合作伙伴，即日起提供定制設計套件，包括通過(guò)芯片驗證的插入式MRAM模塊（4至48MB），以及MRAM內置自檢功能支持。 eMRAM是一種可擴展功能，預計將在FinFET和未來(lái)的FDX平臺上推出，作為公司先進(jìn)eNVM路線(xiàn)圖的組成部分。格芯位于德國德累斯頓1號晶圓廠(chǎng)的先進(jìn)300mm產(chǎn)品線(xiàn)將為MRAM 22FDX的量產(chǎn)提供支持。 如需了解更多有關(guān)格芯（GLOBALFOUNDRIES）22FDX和MRAM特性的信息，請聯(lián)系您的格芯（GLOBALFOUNDRIES）銷(xiāo)售代表或訪(fǎng)問(wèn)globalfoundries.com。 |
