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業(yè)界首批750V器件為高增長(cháng)電源應用設定性能基準 UnitedSiC（聯(lián)合碳化硅）公司現已基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺推出四款首批器件。作為目前市場(chǎng)上首批也是唯一的750V SiC FET，這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數（FoM）實(shí)現了新的性能水平，從而使汽車(chē)、工業(yè)充電、電信整流器、數據中心功率因數校正（PFC）和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領(lǐng)域的電源應用都能夠從中受益。 
這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案，其FoM無(wú)與倫比，并且其單位面積通態(tài)電阻更低，本征電容也很低。在硬開(kāi)關(guān)應用中，第四代FET實(shí)現了最低的RDS(on)×EOSS（mΩ·μJ），因此其導通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開(kāi)關(guān)應用中，其低RDS(on)×Coss(tr)（mΩ·nF）規格則可實(shí)現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的性能（無(wú)論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作），而且還提供了最低的體二極管VF，并具有出色的反向恢復特性，從而降低了死區損耗并提高了效率。 這些新器件將聯(lián)合碳化硅的產(chǎn)品擴展到了750V，這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時(shí)，這一VDS額定值的提高，也使這些FET有利于400/500V總線(xiàn)電壓應用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅動(dòng)器廣泛兼容，所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動(dòng)。因此，就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動(dòng)器一起使用。 正如聯(lián)合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述：“從DC-DC轉換和車(chē)載充電到功率因數校正和太陽(yáng)能逆變器，這些器件可幫助各行各業(yè)的工程師們解決他們在滿(mǎn)足最高電壓和功率要求時(shí)所面臨的各種挑戰。 “我們將在未來(lái)9個(gè)月內發(fā)布許多第四代新器件，而在性?xún)r(jià)比、散熱效率和設計裕量等方面實(shí)現進(jìn)一步提高。到那時(shí)，各行各業(yè)就都有望克服大規模采用的挑戰，并借此加速創(chuàng )新�！� 這四款第4代750V新SiC FET的定價(jià)（千片起，美國離岸價(jià)）從UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可從授權分銷(xiāo)商處購買(mǎi)。 這四款SiC FET器件的規格如下所示：
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