聯(lián)合碳化硅基于第四代先進(jìn)技術(shù)推出新型SiC FET器件

發(fā)布時(shí)間:2020-12-1 15:31    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 750V , SiC , FET
業(yè)界首批750V器件為高增長(cháng)電源應用設定性能基準

UnitedSiC(聯(lián)合碳化硅)公司現已基于其第四代SiC FET先進(jìn)技術(shù)平臺推出四款首批器件。作為目前市場(chǎng)上首批也是唯一的750V SiC FET,這四款第四代器件基于領(lǐng)先的品質(zhì)因數(FoM)實(shí)現了新的性能水平,從而使汽車(chē)、工業(yè)充電、電信整流器、數據中心功率因數校正(PFC)和 DC-DC轉換以及可再生能源和儲能領(lǐng)域的電源應用都能夠從中受益。



這四款新型SiC FET包含18 mΩ和60mΩ兩種方案,其FoM無(wú)與倫比,并且其單位面積通態(tài)電阻更低,本征電容也很低。在硬開(kāi)關(guān)應用中,第四代FET實(shí)現了最低的RDS(on)×EOSS(mΩ·μJ),因此其導通損耗和關(guān)斷損耗都得到降低。在軟開(kāi)關(guān)應用中,其低RDS(on)×Coss(tr)(mΩ·nF)規格則可實(shí)現更低的傳導損耗和更高的頻率。這些器件不僅超越了現有SiC MOSFET競爭產(chǎn)品的性能(無(wú)論是在25℃低溫還是125℃高溫下工作),而且還提供了最低的體二極管VF,并具有出色的反向恢復特性,從而降低了死區損耗并提高了效率。

這些新器件將聯(lián)合碳化硅的產(chǎn)品擴展到了750V,這樣就可以為設計人員提供更多的裕量并減少其設計約束。同時(shí),這一VDS額定值的提高,也使這些FET有利于400/500V總線(xiàn)電壓應用。由于與±20V、5V Vth的柵極驅動(dòng)器廣泛兼容,所有的器件都可以用0至+12V柵極電壓驅動(dòng)。因此,就可以將它們與現有的SiC MOSFET、Si IGBT和Si MOSFET柵極驅動(dòng)器一起使用。

正如聯(lián)合碳化硅C公司工程副總裁Anup Bhalla所述:“從DC-DC轉換和車(chē)載充電到功率因數校正和太陽(yáng)能逆變器,這些器件可幫助各行各業(yè)的工程師們解決他們在滿(mǎn)足最高電壓和功率要求時(shí)所面臨的各種挑戰。

“我們將在未來(lái)9個(gè)月內發(fā)布許多第四代新器件,而在性?xún)r(jià)比、散熱效率和設計裕量等方面實(shí)現進(jìn)一步提高。到那時(shí),各行各業(yè)就都有望克服大規模采用的挑戰,并借此加速創(chuàng )新!

這四款第4代750V新SiC FET的定價(jià)(千片起,美國離岸價(jià))從UJ4C075060K3S的3.57美元到UJ4C075018K4S的7.20美元不等。所有器件均可從授權分銷(xiāo)商處購買(mǎi)。

這四款SiC FET器件的規格如下所示:
料號RDS(on)(25℃時(shí))封裝
UJ4C075018K3S18mΩTO247-3L
UJ4C075018K4S18mΩTO247-4L
UJ4C075060K3S60mΩTO247-3L
UJ4C075060K4S60mΩTO247-4L

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