高功率密度、出色的性能和易用性是當前電源系統設計的關(guān)鍵要求。為此，英飛凌科技股份公司推出了新一代OptiMOS 源極底置（Source-Down，簡(jiǎn)稱(chēng)SD）功率MOSFET，為解決終端應用中的設計挑戰提供切實(shí)可行的解決方案。該功率MOSFET采用PQFN 封裝，尺寸為3.3 x 3.3 mm2，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍。此種封裝可實(shí)現更高的效率、更高的功率密度以及業(yè)內領(lǐng)先的熱性能指標，并降低BOM成本，在功率MOSFET的性能方面樹(shù)立了新的行業(yè)標桿。該器件的應用領(lǐng)域十分廣泛，涵蓋電機驅動(dòng)，適用于服務(wù)器、電信和OR-ing的SMPS，以及電池管理系統等。
與傳統的漏極底置（Drain-Down）封裝相比，最新的源極底置封裝技術(shù)能夠讓器件的外形尺寸接近于裸芯片。此外，這種創(chuàng )新封裝技術(shù)還能降低損耗，進(jìn)一步增強器件的整體性能。相較于最先進(jìn)的漏極底置封裝，采用源極底置封裝可使RDS(on)降低30％。這一技術(shù)創(chuàng )新能夠為系統設計帶來(lái)的主要優(yōu)勢包括：縮小外形尺寸，從SuperSO8 5 x 6 mm2封裝轉變到PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝，可減少約65%的占位空間，讓可用空間得到更有效的利用，從而提高終端系統的功率密度和系統效率。 此外，在源極底置封裝中，熱量通過(guò)導熱墊傳遞到PCB上，而非通過(guò)內部引線(xiàn)鍵合或銅夾帶設計，以此來(lái)改善散熱效果。這也使得結-殼熱阻（RthJC）從1.8K/W降到了1.4K/W，降幅超過(guò)20%，從而能夠實(shí)現優(yōu)異的熱性能。英飛凌目前推出的兩個(gè)型號占板面積不同，它們分別是SD標準門(mén)極布局和SD門(mén)極居中布局。在標準門(mén)極布局中，電氣連接的位置保持不變，方便將標準的漏極底置封裝簡(jiǎn)單直接地替換成新的源極底置封裝；而在中央門(mén)極布局封裝中，門(mén)極引腳被移到中心位置以便于多個(gè)MOSFET并聯(lián)。這兩種型號都能夠優(yōu)化PCB布局，使得寄生效應降低，PCB損耗改進(jìn)，且易于使用。 供貨情況 OptiMOS 源極底置功率MOSFET現已開(kāi)始供貨，其采用PQFN 3.3 x 3.3 mm2封裝，支持從25 V到100 V的寬電壓范圍，目前推出的兩個(gè)型號占板面積不同。更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)www.infineon.com/source-down。 了解英飛凌為提升能源效率做出的貢獻，請訪(fǎng)問(wèn)：www.infineon.com/green-energy |
