SRAM與ROM和Flash Memory的區別

英尚微電子

靜態(tài)SRAM不需要刷新，速度可以很快，比如，CPU內部的cache，都是靜態(tài)RAM,缺點(diǎn)是內存單元需要大量的晶體管，所以?xún)r(jià)格昂貴，容量小。SRAM靜態(tài)隨機存取存儲器加電時(shí)，無(wú)需刷新，數據不會(huì )丟失，一般不是行列地址復用。

SRAM它是一種半導體存儲器。靜態(tài)是指只要不掉電，存儲就存在SRAM中間的數據不會(huì )丟失。這與此同時(shí)。DRAM不同,DRAM需要定期刷新操作。

我們不應將SRAM與ROM和Flash Memory混淆，因為SRAM它是一種容易丟失的存儲器，只有在電源連續供應時(shí)才能保持數據。隨機訪(fǎng)問(wèn)是指存儲器的內容可以以任何順序訪(fǎng)問(wèn)，無(wú)論之前訪(fǎng)問(wèn)的位置如何。

SRAM每個(gè)晶體管都存儲在四個(gè)晶體管中，形成兩個(gè)交叉耦合反向器。存儲單元有兩個(gè)穩定狀態(tài)，通常為0和1。此外還需要兩個(gè)訪(fǎng)問(wèn)晶體管來(lái)控制存儲單元在閱讀或寫(xiě)作過(guò)程中的訪(fǎng)問(wèn)。因此存儲位通常需要六個(gè)MOSFET。使電路結構對稱(chēng)SRAM訪(fǎng)問(wèn)速度要快于DRAM。

SRAM比DRAM訪(fǎng)問(wèn)速度快的另一個(gè)原因是SRAM所有地址位置都可以一次接收，而且DRAM使用行地址和列地址復用結構。

SRAM不應該與SDRAM相混淆,SDRAM代表同步DRAM,這與SRAM完全不同。

SRAM也不應該與PSRAM相混淆，pSRAM是一種偽裝SRAM的DRAM。