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來(lái)源：EXPreview 近日在美國加利福利亞州圣何塞舉行的SPIE先進(jìn)光刻技術(shù)會(huì )議上，來(lái)自光刻生態(tài)系統不同部門(mén)的專(zhuān)家討論了Low-NA和High-NA EUV光刻技術(shù)的前景，觀(guān)點(diǎn)從高度樂(lè )觀(guān)到謹慎，特別是High-NA EUV方面，三星表達了擔憂(yōu)。 
三星負責存儲器生產(chǎn)的研究員Young Seog Kang表示，作為一名用戶(hù)，更關(guān)心的是總成本問(wèn)題，目前Low-NA已經(jīng)投入使用，芯片制造商可能更愿意使用Low-NA EUV以雙重曝光或采用先進(jìn)封裝技術(shù)作為補充，這可能是更經(jīng)濟可行的替代方案，而不是直接使用High-NA EUV來(lái)完成。Young Seog Kang認為，邏輯芯片的布局更為復雜，新技術(shù)可能在更長(cháng)時(shí)間內適用，而存儲器在擴展新技術(shù)時(shí)，性能和成本方面都存在潛在的挑戰。 相比于三星，英特爾對High-NA EUV的前景更為樂(lè )觀(guān)一些。按照英特爾的新計劃，將會(huì )在Intel 14A工藝引入High-NA EUV，英特爾掩模業(yè)務(wù)總經(jīng)理Frank Abboud稱(chēng)，過(guò)往在DUV發(fā)揮重要作用的相移掩模有望引入到EUV。ASML系統工程總監Jan van Schoot概述了幾種提高光刻分辨率和擴展EUV光刻應用的方法，表示正在研發(fā)新的光源和其他改進(jìn)k1的策略，現在已經(jīng)有了一些新想法。 JSR（光刻膠供應商）的總裁Mark Slezak認為，EUV技術(shù)可以持續20年，DUV技術(shù)的持續時(shí)間也比預期要長(cháng)得多。 |
