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來(lái)源：EXPreview 此前有報道稱(chēng)，美光將在日本廣島縣建造一座新的DRAM工廠(chǎng)，投資金額在6000億至8000億日元之間，計劃2026年初開(kāi)工建設，目標2027年末完成工廠(chǎng)主體建筑建設和第一批工具的安裝。其中將安裝極紫外（EUV）光刻設備，以1-gamma（1γ）工藝生產(chǎn)DRAM芯片。 
據TrendForce報道，美光在廣島的新工廠(chǎng)位于現有的Fab 15附近，專(zhuān)注于DRAM生產(chǎn)，不包括后端封裝和測試，產(chǎn)能的重點(diǎn)是HBM產(chǎn)品。未來(lái)工廠(chǎng)還會(huì )過(guò)渡到1-delta工藝，將增加極紫外光刻設備的數量，并升級潔凈室設施。日本政府已經(jīng)批準高達1920億日元的建設補貼，以支持美光的廣島工廠(chǎng)生產(chǎn)下一代芯片，另外還會(huì )有88.7億日元的生產(chǎn)成本補貼和250億日元的研發(fā)成本補貼。 Fab 15是美光HBM產(chǎn)品的主要生產(chǎn)基地之一，負責前端晶圓生產(chǎn)和通硅孔（TSV）工藝的部分，而后端堆疊和測試工藝則由中國臺灣臺中的工廠(chǎng)負責。目前HBM市場(chǎng)增長(cháng)勢頭強勁，但是面臨較低的良品率、更大的芯片尺寸等問(wèn)題，與DDR5相比，生產(chǎn)相同位元需要大約三倍的晶圓，將擠壓傳統DRAM的產(chǎn)能。由于美光急需提升HBM出貨量，中國臺灣的工廠(chǎng)明年開(kāi)始也將加入到前端晶圓生產(chǎn)和通硅孔工藝的工作中，以進(jìn)一步提升產(chǎn)能。 考慮到美光至2025年的HBM產(chǎn)能都已經(jīng)被客戶(hù)預定，建設新工廠(chǎng)變得勢在必行。美光希望到2025年，能占據20%至25%的HBM市場(chǎng)份額，力爭提高到與傳統DRAM相當的水平。 |
