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在最近的一次學(xué)術(shù)會(huì )議上，SK海力士副總裁文起一宣布了一項重要技術(shù)進(jìn)展，指出Chiplet（芯粒/小芯片）技術(shù)將在未來(lái)2到3年內應用于該公司的DRAM和NAND存儲產(chǎn)品控制器中。這一決策標志著(zhù)SK海力士在半導體技術(shù)創(chuàng )新領(lǐng)域的又一重大邁進(jìn)。 文起一在會(huì )議上表示，并非所有存儲產(chǎn)品控制器的功能都需要采用最先進(jìn)的制造工藝。通過(guò)Chiplet設計，SK海力士可以將對工藝要求相對較低的功能模塊剝離出來(lái)，轉移到成本更低的成熟制程芯粒上。這種設計策略不僅不會(huì )影響產(chǎn)品的整體功能實(shí)現，反而能夠顯著(zhù)降低成本，提升產(chǎn)品的市場(chǎng)競爭力。 SK海力士目前正積極在內部開(kāi)發(fā)Chiplet技術(shù)，并已加入UCIe（Universal Chiplet Interconnect Express）產(chǎn)業(yè)聯(lián)盟，與全球半導體行業(yè)伙伴共同推動(dòng)Chiplet技術(shù)的發(fā)展與應用。此外，SK海力士還于2023年在全球范圍內申請注冊了用于Chiplet技術(shù)的Mosaic商標，進(jìn)一步鞏固了其在該領(lǐng)域的領(lǐng)先地位。 文起一還提到，盡管用于連接HBM（高帶寬內存）內存各層裸片的新興工藝混合鍵合技術(shù)目前面臨諸多挑戰，包括CMP（化學(xué)機械拋光）加工步驟需要更高精細度以及封裝加工引起的碎屑污染對HBM內存良率的影響，但SK海力士堅信這一技術(shù)仍將是未來(lái)的發(fā)展方向。公司將繼續投入研發(fā)資源，克服技術(shù)難題，推動(dòng)混合鍵合技術(shù)的成熟與應用。 |
