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微電子產(chǎn)業(yè)標準機構JEDEC固態(tài)技術(shù)協(xié)會(huì )終于發(fā)布了下一代同步DDR內存的技術(shù)標準：DDR4，它的數據傳輸速度將比DDR3快一倍，且功耗更低�！癑EDEC的DDR4技術(shù)標準的公布是數年來(lái)世界各地的內存、系統、部件和模塊制造商共同努力的結果，”JEDEC下屬組織JC-42.3DRAM內存委員會(huì )主席Joe Macri這樣說(shuō)�！靶聵藴适瓜乱淮到y有更優(yōu)秀的性能，顯著(zhù)提高封裝密度和可靠性，同時(shí)有更低的功耗，”Macri說(shuō)。 DDR4的單個(gè)內存顆粒容量2Gb-16Gb，同時(shí)提供了三種數據寬度x4、x8、x16，最大數據傳輸速度為3.2Gb/s，不過(guò)JETEC說(shuō)未來(lái)隨著(zhù)標準的發(fā)展速度還會(huì )繼續增加。另外DDR4的功耗會(huì )更低，將使用1.2V電壓而不是DDR3用的1.5V。 
DDR4預計要到2015年才會(huì )普及 盡管三星等廠(chǎng)商之前已經(jīng)造出了不同規格的DDR4內存樣品，但這次最終標準的發(fā)布將催使他們擴大生產(chǎn)。據市場(chǎng)分析組織iSuppli預計到2014年DDR4 才能獲得較大市場(chǎng)份額，不過(guò)2015年應該會(huì )占到所有售出的DRAM的一半。
“DDR4技術(shù)標準的發(fā)布是下一代DRAM生產(chǎn)的里程碑，”美光DRAM市場(chǎng)部副總裁Robert Feurle說(shuō)�！案叩男阅�、更低的功耗使DDR4成為下一代企業(yè)和消費者產(chǎn)品有吸引力的存儲器解決方案，”他說(shuō)到，“我們也期待把這項技術(shù)推向市場(chǎng)�！� |
