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飛兆半導體公司(Fairchild Semiconductor) 為滿(mǎn)足便攜產(chǎn)品設計人員不斷尋求效率更高、外形更小更薄的解決方案的需求，推出采用超緊湊、薄型(1.6mm x 1.6mm x 0.55mm)封裝的高性能MicroFET MOSFET產(chǎn)品系列。 設計人員使用這一行業(yè)領(lǐng)先的產(chǎn)品系列，能夠挑選最適合其應用和設計需求的MicroFET MOSFET產(chǎn)品。新的產(chǎn)品系列備有數種常用的拓撲選擇，包括單P溝道和肖特基二極管組合，單N溝道和肖特基二極管組合、雙P溝道、雙N溝道、互補對(complementary pair)、單N溝道和單P溝道器件。 
這些MicroFET MOSFET采用飛兆半導體性能先進(jìn)的PowerTrench MOSFET工藝技術(shù)，能夠實(shí)現非常低的RDS(ON)、總體柵極電荷(QG) 和米勒電荷(QGD)，從而獲得出色的傳導和開(kāi)關(guān)性能及熱效率。相比傳統的MOSFET封裝，其先進(jìn)的MicroFET封裝提供了出色的功耗和傳導損耗特性。 飛兆半導體提供業(yè)界最廣泛的具有增強熱性能的超緊湊薄型1.6mm x 1.6mm 和2mm x 2mm MicroFET器件。這些易于使用、節省空間的高性能MOSFET是便攜應用的理想選擇。
供貨：現提供樣品。交貨期：收到訂單后12周 產(chǎn)品的 PDF 格式數據表可從此網(wǎng)址獲�。� http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1023PZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1034CZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME2P823ZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDFME3N311ZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME1024NZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME410NZT.pdf http://www.fairchildsemi.com/ds/FD/FDME510PZT.pdf |
