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作者：一博科技 之前已經(jīng)講過(guò)DDR的前世今生，以及DDR的各種功能探秘，基本上對于DDR，我們已經(jīng)有了比較深刻的認識，接下來(lái)就是利用我們已有的標準，去解讀DDR。 通常，DDR設計完成之后 ，對信號質(zhì)量并沒(méi)有一個(gè)完全確定的概念，需要我們通過(guò)仿真和測試的手段去判斷和驗證。而此時(shí)，往往我們拿到的就是一個(gè)波形，測試波形或者仿真波形，該如何去判斷其信號質(zhì)量，參照的標準又是怎樣的，就是我們需要去考慮的重點(diǎn)。 DDR信號是數字信號，表現為0、1兩種形式，一般看到的波形都是類(lèi)似于正弦波的樣式，什么時(shí)候判定為1，什么時(shí)候判定為0呢？每一個(gè)信號都是以電磁波的形式進(jìn)行傳輸，因此一定具有相應的幅值，所以判定方法肯定是當幅值高于某一個(gè)值時(shí)，判定信號為1，低于某一個(gè)值時(shí)，判定為0。而判定的依據——某一個(gè)值就是可以從JEDEC中找到的。如圖一所示，是DDR3地址命令信號的AC、DC標準，對應相應的速率，就可以在波形上面標注出相應的VIH和VIL。當幅值范圍為VIHAC（min）~VIHDC（min）時(shí)，判定為1，當幅值范圍為VILAC（max）~VILDC（max）時(shí)判定為0，如下圖二所示 圖一 圖二 對于做為差分線(xiàn)的CK信號和DQS信號而言，判定的要求又分為單根和差分模式，單根模式的判定標準和地址數據線(xiàn)基本一致，如下圖三所示。它的判定標準只有VSEH和VSEL。實(shí)際這兩個(gè)值對應的就是VIH.AC和VIL.AC。 圖三 差分模式如圖四所示，數據見(jiàn)表格。 圖四 而且同時(shí)對兩個(gè)單根的交點(diǎn)也有一定的要求，如下圖五所示，兩個(gè)單根的交點(diǎn)位置要在VSEH和VSEL之間，否則的話(huà)差分模式下，正半周期和負半周期可能會(huì )有比較大的一個(gè)比例差異。 圖五 對信號幅值的要求不僅僅在這一個(gè)方面，幅值太小，會(huì )讓芯片無(wú)法識別信號，那么幅值越大，豈不是對于信號的判定越有利。其實(shí)不然，一般的芯片都會(huì )有一個(gè)耐壓值，高于該值，對于芯片的使用壽命會(huì )有一個(gè)較大的影響，所以，可以看到JEDEC中，還有一個(gè)Overshoot和Undershoot的概念，下面是DDR3對于信號這方面的一個(gè)要求，圖六中是對Overshoot和Undershoot一個(gè)面積區域和具體的數值的定義，即最大值的范圍在VSS-0.4~VDD+0.4之間，斜率按照相應的速率查找，其中斜率的定義對于數據線(xiàn)和地址線(xiàn)是有區別的，要用到的時(shí)候，在JEDEC中查找即可。 圖六 這些都是對DDR信號最基礎的認識，只是基于幅值方面的一些要求。 |
