格芯以eVaderis超低耗電 MCU 參考設計強化 22FDX eMRAM 平臺

發(fā)布時(shí)間:2018-3-1 14:48    發(fā)布者:eechina
關(guān)鍵詞: 22FDX , eMRAM , FD-SOI
雙方共同開(kāi)發(fā)的技術(shù)解決方案將大幅降低物聯(lián)網(wǎng)及穿戴式產(chǎn)品的耗電及芯片尺寸

格芯與 eVaderis將共同開(kāi)發(fā)超低功耗MCU參考設計方案,該方案基于格芯22nm FD-SOI(22FDX)平臺的嵌入式磁性隨機存儲器(eMRAM)技術(shù)。雙方合作所提供的技術(shù)解決方案將格芯22FDX eMRAM優(yōu)異的可靠性與多樣性與 eVaderis的超低耗電IP結合,適合包括電池供電的物聯(lián)網(wǎng)產(chǎn)品、消費及工業(yè)用微處理器、車(chē)用控制器等各種應用。

eVaderis 的 MCU 設計充分利用了 22FDX 平臺高效的電源管理能力,相較于上一代 MCU,電池續航力可提高到10 倍以上,同時(shí)芯片尺寸大幅降低。這項由格芯FDXcelerator合作項目(FDXcelerator Partner Program)開(kāi)發(fā)的技術(shù),所提供的高器件密度、低成本的單芯片解決方案,特別符合對功耗敏感的應用, 可幫助芯片設計人員將效能、密度以及易用性推向新的高度。

“eVaderis 創(chuàng )新架構的超低耗電 MCU IP 設計以格芯 22FDX eMRAM 技術(shù)為基礎打造,非常適合常閉的(normally-off)物聯(lián)網(wǎng)應用!眅Vaderis 總裁兼首席執行官 Jean-Pascal Bost表示,“以格芯eMRAM 作為工作內存,可讓MCU的部分電路更頻繁的下電,而不會(huì )引起MCU的性能損失。eVaderis 希望能在今年年底之前將這項通過(guò)驗證的 IP 提供給客戶(hù)!

“穿戴式和物聯(lián)網(wǎng)裝置需要耐久的電池續航力、更高的運行能力并集成先進(jìn)的傳感器!备裥厩度胧酱鎯ζ魇聵I(yè)部副總裁 Dave Eggleston 表示,“身為 FDXcelerator 合作伙伴,eVaderis運用基于格芯 22FDX 的 eMRAM技術(shù), 開(kāi)發(fā)全新的MCU架構,幫助客戶(hù)達成更高的需求!

格芯與eVaderis基于格芯22FDX 的 eMRAM技術(shù)共同開(kāi)發(fā)的參考設計將于 2018 年第 4 季面世。包含有eMRAM 和射頻解決方案的22FDX設計套件現已發(fā)布。用于客戶(hù)進(jìn)行原型驗證的多項目晶圓(MPW)已經(jīng)開(kāi)放,現成的eMRAM 模塊也已提供,有Flash 和SRAM兩種接口方案可供選擇,使得客戶(hù)可以更容易地進(jìn)行產(chǎn)品設計。格芯預計eMRAM將在 2018 年開(kāi)始小批量生產(chǎn)。

有興趣了解更多關(guān)于格芯 22FDX eMRAM 解決方案、與 Everspin Technologies 共同合作開(kāi)發(fā)的客戶(hù),可以聯(lián)系格芯銷(xiāo)售代表,或登陸網(wǎng)站 globalfoundries.com/cn 。
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