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美高森美公司(Microsemi) 宣布提供采用碳化硅(SiC) 二極管和MOSFET器件的全新可擴展30 kW三相Vienna功率因數校正(PFC)拓撲參考設計。這款可擴展的用戶(hù)友好解決方案由美高森美與北卡羅萊納州立大學(xué)(NCSU)合作開(kāi)發(fā)，非常適合快速電動(dòng)車(chē)(EV)充電和其它大功率汽車(chē)和工業(yè)應用；此外，它亦可通過(guò)美高森美功能強大的SiC MOSFET和二極管，為客戶(hù)提供更高效的開(kāi)關(guān)以及高雪崩/高重復性非鉗位感性開(kāi)關(guān)(UIS)能力和高短路耐受額定值。美高森美將參展6月5日至7日在德國紐倫堡展覽中心舉行的PCIM歐洲電力電子展，在6號展廳318展臺展示有源整流器PFC參考設計以及SiC產(chǎn)品系列中的其它解決方案。 美高森美副總裁兼分立和電源管理部門(mén)經(jīng)理Leon Gross表示：“汽車(chē)市場(chǎng)不斷變化，混合動(dòng)力車(chē)(HEV)和電動(dòng)車(chē)日益增加，SiC器件可以使得這些車(chē)輛提高效率，行走更遠路程。這繼續推動(dòng)了市場(chǎng)對我們產(chǎn)品組合中的這些SiC器件以及其它高可靠性產(chǎn)品的高需求。在過(guò)去幾年來(lái)成功發(fā)布SiC MOSFET和二極管產(chǎn)品組合后，我們新推出的三相三開(kāi)關(guān)三電平PFC參考設計是一個(gè)具體示例，說(shuō)明如何在要求嚴苛的應用中利用這些部件，展示其穩健性、高性能和整體價(jià)值�！� 
美高森美的用戶(hù)友好30 kW三相PFC參考設計包括用于其下一代SiC二極管和MOSFET的設計文件、開(kāi)源數字控制軟件和用戶(hù)指南。與單相PFC和兩電平六開(kāi)關(guān)升壓脈寬調制(PWM)整流器設計相比，該拓撲結構具有多項優(yōu)勢，包括在連續導通模式下工作的失真極低，并可降低約98%的電源器件開(kāi)關(guān)損耗；與Si/IGBT解決方案相比，它還具有高效率和緊湊外形尺寸的優(yōu)勢。 該參考設計還提供詳細的3D機械和散熱設計，并帶有集成的風(fēng)扇和冷卻通道以降低熱阻和縮小總系統尺寸。其印刷電路板(PCB)布局在開(kāi)發(fā)時(shí)已考慮了安全性、電流應力、機械應力和抗噪聲能力。參考設計包帶有可立即使用的硬件和經(jīng)過(guò)驗證的開(kāi)源軟件，可降低大功率開(kāi)關(guān)設計的技術(shù)風(fēng)險，同時(shí)加快產(chǎn)品上市。 除了適合快速EV/HEV充電器和適用于汽車(chē)和工業(yè)市場(chǎng)大功率三相電源外，美高森美全新有源三相PFC參考設計還可以用于醫療、航天、國防和數據中心市場(chǎng)。這款參考設計補充了面向HEV/EV充電、插電/感應式車(chē)載充電器(OBC)、DC-DC轉換器和電動(dòng)車(chē)動(dòng)力系統/牽引控制、光伏(PV)逆變器和作動(dòng)器應用美高森美整體SiC解決方案組合。 包括IndustryARC和Technavio在內的市場(chǎng)研究機構預計，電動(dòng)車(chē)電力電子市場(chǎng)到2021年的年復合增長(cháng)率(CAGR)將達到19%至33%。包括SiC器件在內的寬帶隙半導體器件具有高工作溫度能力和高效率，因此在EV動(dòng)力傳送、DC-DC轉換器、充電和開(kāi)關(guān)電源應用中的使用將會(huì )與日俱增。 6月5日至7日在PCIM展會(huì )6號展廳318展臺進(jìn)行演示 美高森美產(chǎn)品專(zhuān)家將在PCIM展會(huì )期間于公司展臺上演示全新Vienna PFC參考設計和美高森美SiC解決方案。如要了解更多的信息或要求安排展會(huì )會(huì )面，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè)https://www.microsemi.com/details/346-pcim-europe。 產(chǎn)品供貨 美高森美現在提供PFC參考設計，如要了解更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)公司網(wǎng)頁(yè) https://www.microsemi.com/product-directory/discretes/3613-silicon-carbide-sic 或聯(lián)絡(luò ) sales.support@microsemi.com。 |
