UnitedSiC宣布推出第3代1200V和650V碳化硅JFET，擴展了現有的獨特常開(kāi)啟型SiC JFET產(chǎn)品組合。
這些器件處于通常開(kāi)啟狀態(tài)，采用零電壓柵極驅動(dòng)，因而特別適用于快速動(dòng)作、固態(tài)斷路器和電路保護等應用，這些應用中，通常在沒(méi)有柵極電源的情況下需要默認為導通狀態(tài)。這些器件還可與Si-MOSFET串聯(lián)使用，形成強大的“超級共源共柵”，具有寬帶隙技術(shù)的所有優(yōu)勢，能提供極高的工作電壓，并易于柵極驅動(dòng)。新器件還可用于電子負載、無(wú)線(xiàn)充電同步整流和低功率反激式轉換器中的電源開(kāi)關(guān)，其中采用共源共柵配置的JFET可確保易于啟動(dòng)。新器件所面向的市場(chǎng)包括鐵路、電動(dòng)飛行器和電動(dòng)牽引中的電路保護，以及高壓開(kāi)關(guān)電源轉換等等。 SiC JFET器件能提供極佳的RDSA品質(zhì)因數（基于晶片面積歸一化的導通電阻），在電路保護應用中具有低插入損耗。由于RDSON的正溫度系數和較為平坦的柵極閾值電壓對溫度曲線(xiàn)，這些部件可以很容易并聯(lián)使用。在以“線(xiàn)性”模式工作時(shí)，SiC JFET表現出寬的安全工作區（SOA），而沒(méi)有其他技術(shù)容易受到的電流擁擠效應和潺流效應(current filament)等影響，使得它們特別適用于電子負載和電流限制器。SiC JFET中不存在柵極氧化物，因而也增強了抗輻射能力和總體的牢固性等附加優(yōu)勢。 這些器件的制造采用了UnitedSiC專(zhuān)有的6英寸晶圓工藝，其中包括先進(jìn)的晶圓減�。╳afer-thinning）和晶片粘接（die-attach）技術(shù)，具有出色的結至外殼熱阻。 新發(fā)布的第三代器件編號為UJ3N120070K3S（1200V/70mΩ）、UJ3N120035K3S（1200V/35mΩ）、UJ3N0650080K3S（650V/80mΩ）和UJ3N065025K3S（650V/25mΩ）。所有這些可選器件均采用方便的TO-247-3L封裝。 UnitedSiC工程副總裁Anup Bhalla表示：“當您需要常通、超級牢固的器件時(shí)，UnitedSiC的SiC JFET可提供無(wú)與倫比的系統價(jià)值。隨著(zhù)電力電子技術(shù)的不斷發(fā)展，對電路保護的需求也在不斷增長(cháng)。動(dòng)作非�？焖俚臄嗦菲骺梢院�(jiǎn)化軌道牽引、船舶和越來(lái)越多的電動(dòng)飛行器等電源電路設計，而且在這些類(lèi)型應用中，SiC JFET也是最簡(jiǎn)單、最高效的限流方案�！� 有關(guān)UnitedSiC JFET的應用指南以及其他更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：https://unitedsic.com/downloads/。 價(jià)格和供貨信息 UnitedSiC的第三代SiC JFET器件以批量1000件計，起價(jià)為每片5.00美元，可在貿澤電子和其他當地分銷(xiāo)商處購買(mǎi)。 |
