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MRAM是一種利用電子自旋來(lái)存儲信息的存儲技術(shù)。MRAM具有成為通用存儲器的潛力，能夠將存儲存儲器的密度與SRAM的速度相結合，同時(shí)具有非易失性和節能性。MRAM可以抵抗高輻射，可以在極端溫度條件下運行，并且可以防篡改。這使得MRAM適用于汽車(chē)、工業(yè)、軍事和太空應用。 下面介紹一款Everspin非易失性256Kb串口mram存儲器MR25H256ACDF。 MR25H256ACDF是一個(gè)串口MRAM，內存陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口(SPI)的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口公共汽車(chē)。串行MRAM實(shí)現了當今SPIEEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線(xiàn)上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫(xiě)入速度、無(wú)限的耐用性、低待機和操作功率以及更可靠的數據保留。MR25H256ACDF已發(fā)布量產(chǎn)，推薦用于所有新設計。關(guān)于更多產(chǎn)品信息可咨詢(xún)everspin代理，同時(shí)為客戶(hù)提供產(chǎn)品相關(guān)技術(shù)支持。 MR25H256ACDF特征 •無(wú)寫(xiě)入延遲 •無(wú)限寫(xiě)入耐久性 •數據保留超過(guò)20年 •斷電時(shí)自動(dòng)數據保護 •塊寫(xiě)保護 •快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達40MHz •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)和汽車(chē)1級和3級溫度 •提供8-DFN或8-DFNSmallFlagRoHS兼容封裝。 •直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM •工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項 •濕度敏感度MSL-3 電氣規格 該設備包含保護輸入免受高靜態(tài)電壓或電場(chǎng)損壞的電路；但是，建議采取正常預防措施，避免將任何高于最大額定電壓的電壓施加到這些高阻抗(Hi-Z)電路上。 該設備還包含對外部磁場(chǎng)的保護。應采取預防措施以避免施加比最大額定值中規定的磁場(chǎng)強度更強的任何磁場(chǎng)。 |
