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Everspin MRAM解決方案供應商推出了用于工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)和嵌入式系統的EMxxLX xSPI MRAM非易失性存儲器解決方案。該解決方案可以替代SPI NOR/NAND閃存的方案，其讀寫(xiě)速度可以高達400MB/s，存儲容量在8Mbit和64Mbit之間。 Everspin此款新xSPI產(chǎn)品系列基于擴展的串行外設接口，這是用于非易失性存儲設備的最新 JEDEC 標準。提供高性能、多 I/O、SPI 兼容性，并具有高速、低引腳數 SPI 兼容總線(xiàn)接口，時(shí)鐘頻率高達200 MHz。這些持久性?xún)却?MRAM 設備在單個(gè) 1.8V 電源上運行，并通過(guò)八個(gè) I/O 信號提供高達 400MBps 的讀取和寫(xiě)入速度。更多產(chǎn)品相關(guān)資料咨詢(xún)Everspin代理英尚微電子。 xSPI MRAM的主要亮點(diǎn)是400MB/s的讀寫(xiě)速度，因為這個(gè)速度是NOR或NAND等閃存設備的數倍，在寫(xiě)入方面甚至更高。該產(chǎn)品的其他好處，比如：在編程之前無(wú)需擦除、高效寫(xiě)入（比NAND 低10倍，比NOR低200倍），以及可以兼容舊軟件的NOR閃存模式。 xSPI MRAM和SPI NOR NAND閃存對比 xSPI MRAM開(kāi)啟了通用存儲器應用解決方案的新紀元，取代了 SRAM、BBSRAM、NVSRAM 和 NOR器件等產(chǎn)品，面向工業(yè)自動(dòng)化、過(guò)程控制、仿真、汽車(chē)和運輸、游戲以及更廣泛的工業(yè)物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)。 |
