|
“持久性存儲器”通常是指駐留在存儲器總線(xiàn)上的高性能、字節可尋址、非易失性存儲器設備。MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱(chēng)具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓操作、長(cháng)壽命和非常高的速度。他們以不同的方式實(shí)現這些目標，盡管在每種情況下，性能突破背后都有創(chuàng )新的材料技術(shù)。首創(chuàng )的MRAM將數據位存儲為存儲單元中電阻的變化，這是通過(guò)將某些特殊材料暴露在磁場(chǎng)中而產(chǎn)生的。FRAM與MRAM有很大不同：它在鐵電材料中將位存儲為固定電位（電壓）。下面介紹一款可替代FRAM的Serial MRAM芯片MR25H256ACDF。 MR25H256ACDF是一種串行MRAM，其存儲器陣列邏輯組織為32Kx8，使用串行外圍接口的片選(CS)、串行輸入(SI)、串行輸出(SO)和串行時(shí)鐘(SCK)四個(gè)引腳接口(SPI)總線(xiàn)。串行MRAM實(shí)現了當今SPI EEPROM和閃存組件通用的命令子集，允許MRAM替換同一插槽中的這些組件并在共享SPI總線(xiàn)上進(jìn)行互操作。與可用的串行存儲器替代品相比，串行MRAM提供卓越的寫(xiě)入速度、無(wú)限的耐用性、低待機和運行功率以及更可靠的數據保留。
特征 •無(wú)寫(xiě)入延遲 •無(wú)限寫(xiě)入耐久性 •數據保留超過(guò)20年 •斷電時(shí)自動(dòng)數據保護 •塊寫(xiě)保護 •快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達40MHz •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)和汽車(chē)1級和3級溫度 •提供8-DFN Small Flag RoHS合規性封裝。 •直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM •工業(yè)級和AEC-Q1001級和3級選項 •濕度敏感度MSL-3 Everspin Technologies, Inc是設計制造和商業(yè)運輸分立和嵌入式磁阻 RAM (MRAM) 和自旋轉移扭矩 MRAM (STT-MRAM) 的翹楚，面向數據持久性和應用程序的市場(chǎng)和應用。完整性、低延遲和安全性至關(guān)重要。Everspin 在數據中心、云存儲、能源、工業(yè)、汽車(chē)和運輸市場(chǎng)部署了超過(guò) 1.2 億個(gè) MRAM 和 STT-MRAM 產(chǎn)品，為MRAM 用戶(hù)奠定了最強大、增長(cháng)最快的基礎。 MR25H256ACDF規格書(shū)下載 
MR25H256-MR25H256A.pdf
(1.64 MB)
| |||||||||||||||
