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MRAM（磁性只讀存儲器）和FRAM（鐵電RAM）都聲稱(chēng)具有相似的性能優(yōu)勢：低電壓操作、長(cháng)壽命和非常高的速度。他們以不同的方式實(shí)現這些目標，盡管在每種情況下，性能突破背后都有創(chuàng )新的材料技術(shù)。 MRAM或磁性隨機存取存儲器使用1個(gè)晶體管–1個(gè)磁性隧道結(1T-1MTJ)架構，將鐵磁材料的磁性“狀態(tài)”作為數據存儲元件。由于MRAM使用磁性狀態(tài)進(jìn)行存儲（而不是會(huì )隨著(zhù)時(shí)間“泄漏”的電荷），因此MRAM提供了非常長(cháng)的數據保留時(shí)間（+20年）和無(wú)限的耐用性。切換磁極化（寫(xiě)入周期）是磁隧道結(MTJ)上方和下方導線(xiàn)中脈沖電流的結果。來(lái)自電流脈沖的相關(guān)H場(chǎng)改變了鐵磁材料自由層的極化。 這種磁性開(kāi)關(guān)不需要原子或電子的位移，這意味著(zhù)沒(méi)有與MRAM相關(guān)的磨損機制。自由層相對于固定層的磁矩會(huì )改變MTJ的阻抗。阻抗的這種變化代表數據的狀態(tài)（“1”或“0”）。感測（讀取周期）是通過(guò)測量MTJ的阻抗來(lái)完成的。MRAM設備中的讀取周期是非破壞性的且相對較快(35ns)。讀取操作是通過(guò)MTJ上的極低電壓完成的，支持在部件生命周期內無(wú)限操作。Everspin代理英尚微介紹一款AEC-Q1001級非易失性1Mb串行SPI MRAM--MR25H10MDFR MR25H10MDFR是一個(gè)1,048,576位磁阻隨機存取存儲器(MRAM)設備，組織為131,072個(gè)8位字。MR25H10MDFR提供串行EEPROM和串行閃存兼容讀/寫(xiě)時(shí)序，無(wú)寫(xiě)延遲和無(wú)限讀/寫(xiě)耐久性。與其他串行存儲器不同，讀取和寫(xiě)入都可以在存儲器中隨機發(fā)生，寫(xiě)入之間沒(méi)有延遲。對于必須使用少量I/O引腳快速存儲和檢索數據和程序的應用程序，MR25H10MDFR是理想的存儲器解決方案。 MR25H10MDFR采用5mmx6mm 8引腳DFN封裝DFN Small Flag封裝。兩者都與串行EEPROM、閃存和FeRAM產(chǎn)品兼容。MR25H10MDFR在很寬的溫度范圍內提供高度可靠的數據存儲。該產(chǎn)品提供AEC-Q1001級（-40℃至+125℃）工作溫度范圍選項。 特性 •無(wú)寫(xiě)入延遲 •無(wú)限寫(xiě)入耐久性 •數據保留超過(guò)20年 •斷電時(shí)自動(dòng)數據保護 •塊寫(xiě)保護 •快速、簡(jiǎn)單的SPI接口，時(shí)鐘速率高達40MHz •2.7至3.6伏電源范圍 •低電流睡眠模式 •工業(yè)溫度 •提供8針DFN Small Flag RoHS兼容 •直接替代串行EEPROM、閃存、FeRAM •AEC-Q1001級選項 MR25H10規格書(shū)下載 
MR25H10.pdf
(2.02 MB)
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