Qorvo 宣布一款符合車(chē)規標準的碳化硅（SiC）場(chǎng)效應晶體管（FET）產(chǎn)品；在緊湊型 D2PAK-7L 封裝中實(shí)現業(yè)界卓越的 9mΩ 導通電阻 RDS(on)。此款 750V SiC FET 作為 Qorvo 全新引腳兼容 SiC FET 系列的首款產(chǎn)品，導通電阻值最高可達 60mΩ，非常適合車(chē)載充電器、DC/DC 轉換器和正溫度系數（PTC）加熱器模塊等電動(dòng)汽車(chē)（EV）類(lèi)應用。
UJ4SC075009B7S 在 25°C 時(shí)的典型導通電阻值為 9mΩ，可在高壓、多千瓦車(chē)載應用中減少傳導損耗并最大限度地提高效率。其小型表面貼裝封裝可實(shí)現自動(dòng)化裝配流程，降低客戶(hù)的制造成本。全新的 750V 系列產(chǎn)品是對 Qorvo 現有的 1200V 和 1700V D2PAK 封裝車(chē)用 SiC FET 的補充，打造了完整的產(chǎn)品組合，可滿(mǎn)足 400V 和 800V 電池架構電動(dòng)汽車(chē)的應用需求。 Qorvo 電源產(chǎn)品線(xiàn)市場(chǎng)總監 Ramanan Natarajan 表示：“這一全新 SiC FET 系列的推出彰顯了我們致力于為電動(dòng)汽車(chē)動(dòng)力總成設計人員提供先進(jìn)、高效解決方案的承諾，以助力其應對獨特的車(chē)輛動(dòng)力挑戰�！� 這些第四代 SiC FET 采用 Qorvo 獨特的共源共柵結構電路配置，將 SiC JFET 與硅基 MOSFET 合并封裝，從而制造出具備寬帶隙開(kāi)關(guān)技術(shù)效率優(yōu)勢和硅基 MOSFET 簡(jiǎn)單柵極驅動(dòng)的器件。SiC FET 的效率取決于傳導損耗；得益于業(yè)界卓越的低導通電阻和體二極管反向壓降，Qorvo 的共源共柵結構／JFET 方式帶來(lái)了更低的傳導損耗。 UJ4SC075009B7S 的主要特性包括： 閾值電壓 VG(th)：4.5V（典型值），允許 0 至 15V 驅動(dòng)電壓 較低的體二極管 VFSD：1.1V 最高工作溫度：175°C 出色的反向恢復能力：Qrr＝338nC 低柵極電荷：QG＝75nC 通過(guò)汽車(chē)電子委員會(huì ) AEC-Q101 認證 有關(guān) Qorvo 先進(jìn)功率應用 SiC 解決方案的更多信息，請訪(fǎng)問(wèn)：cn.qorvo.com/go/gen4。 |
