|
來(lái)源：TrendForce集邦咨詢(xún) 根據TrendForce集邦咨詢(xún)資深研究副總吳雅婷表示，受惠于HBM銷(xiāo)售單價(jià)較傳統型DRAM（Conventional DRAM）高出數倍，相較DDR5價(jià)差大約五倍，加上AI芯片相關(guān)產(chǎn)品迭代也促使HBM單機搭載容量擴大，推動(dòng)2023~2025年間HBM之于DRAM產(chǎn)能及產(chǎn)值占比均大幅向上。產(chǎn)能方面，2023~2024年HBM占DRAM總產(chǎn)能分別是2%及5%，至2025年占比預估將超過(guò)10%。產(chǎn)值方面，2024年起HBM之于DRAM總產(chǎn)值預估可逾20%，至2025年占比有機會(huì )逾三成。 
2024年HBM需求位元年成長(cháng)率接近200%，2025年將再翻倍 吳雅婷指出，今年第二季已開(kāi)始針對2025年HBM進(jìn)行議價(jià)，不過(guò)受限于DRAM總產(chǎn)能有限，為避免產(chǎn)能排擠效應，供應商已經(jīng)初步調漲5~10%，包含HBM2e，HBM3與HBM3e。而供應商議價(jià)時(shí)間提早于第二季發(fā)生有三大原因，其一，HBM買(mǎi)方對于A(yíng)I需求展望仍具高度信心，愿意接受價(jià)格續漲。 其二，HBM3e的TSV良率目前僅約40~60%，仍有待提升，加上并非三大原廠(chǎng)都已經(jīng)通過(guò)HBM3e的客戶(hù)驗證，故HBM買(mǎi)方也愿意接受漲價(jià)，以鎖定質(zhì)量穩定的貨源。其三，未來(lái)HBM每Gb單價(jià)可能因DRAM供應商的可靠度，以及供應能力產(chǎn)生價(jià)差，對于供應商而言，未來(lái)平均銷(xiāo)售單價(jià)將會(huì )因此出現差異，并進(jìn)一步影響獲利。 展望2025年，由主要AI解決方案供應商的角度來(lái)看，HBM規格需求大幅轉向HBM3e，且將會(huì )有更多12hi的產(chǎn)品出現，帶動(dòng)單芯片搭載HBM的容量提升。根據TrendForce集邦咨詢(xún)預估，2024年的HBM需求位元年成長(cháng)率近200%，2025年可望將再翻倍。
|
