|
22FDX可為物聯(lián)網(wǎng)、主流移動(dòng)設備、RF連接和網(wǎng)絡(luò )市場(chǎng)提供最佳的性能、功耗和成本組合 格羅方德半導體（GLOBAL FOUNDRIES）今日發(fā)布一種全新的半導體工藝，以滿(mǎn)足新一代聯(lián)網(wǎng)設備的超低功耗要求�！�22FDX”平臺提供的性能和功耗媲美FinFET，而成本則與28nm平面晶體管工藝相當，為迅速發(fā)展的移動(dòng)、物聯(lián)網(wǎng)、RF連接和網(wǎng)絡(luò )市場(chǎng)提供了一個(gè)最佳解決方案。 雖然某些設備對三維FinFet晶體管的終極性能有要求，但大多數無(wú)線(xiàn)設備需要在性能、功耗和成本之間實(shí)現更好的平衡。22FDX 采用業(yè)內首個(gè)22nm二維全耗盡平面晶體管技術(shù)（FD-SOI）工藝，為成本敏感型應用提供了一條最佳途徑。憑借業(yè)內最低的0.4伏工作電壓，該平臺實(shí)現了超低動(dòng)態(tài)功耗、更低的熱效應和更為精巧的終端產(chǎn)品規格。該平臺提供的芯片尺寸比28nm工藝小20%，掩膜少10%，而且其浸沒(méi)式光刻層比f(wàn)oundry FinFET工藝少近50%，為聯(lián)網(wǎng)設備在性能、功耗和成本方面實(shí)現了最佳組合點(diǎn)。 格羅方德半導體首席執行官Sanjay Jha表示：“22FDX平臺能夠讓我們的客戶(hù)在性能、功耗和成本之間實(shí)現最佳平衡的差異化產(chǎn)品。該平臺在業(yè)內率先提供針對晶體管特性的實(shí)時(shí)系統軟件控制功能：系統設計人員能夠動(dòng)態(tài)平衡功耗、性能和漏電。此外，針對聯(lián)網(wǎng)應用中的射頻和模擬集成，該平臺可提供最佳的擴展性和最高的能效�！� 22FDX采用了格羅方德公司位于德國德累斯頓的最先進(jìn)的300mm生產(chǎn)線(xiàn)上的量產(chǎn)28nm平臺。該工藝建立在近20年對歐洲最大的半導體晶圓廠(chǎng)的持續投資之上，掀開(kāi)了“薩克森硅谷”發(fā)展史上的一個(gè)新篇章。格羅方德半導體在德累斯頓為22FDX平臺投入了2.5億美元，用于技術(shù)研發(fā)和啟動(dòng)22FDX的生產(chǎn)，從而將公司自2009年以來(lái)對Fab 1的總投資增至超過(guò)50億美元。公司還將加大投資提高生產(chǎn)力以滿(mǎn)足客戶(hù)需求。格羅方德半導體正與多家歐洲領(lǐng)先的研發(fā)和行業(yè)機構開(kāi)展合作，以便為22FDX建設一個(gè)強大的生態(tài)系統，縮短產(chǎn)品上市時(shí)間，并為其制定一個(gè)全面的路線(xiàn)圖。 格羅方德半導體的22FDX平臺實(shí)現了用軟件控制晶體管特性，能夠實(shí)時(shí)平衡靜態(tài)功耗、動(dòng)態(tài)功耗和性能。22FDX平臺由一系列面向不同應用的差異化產(chǎn)品構成： • 22FD-ulp：對于主流低成本智能手機市場(chǎng)，基礎版超低功耗產(chǎn)品提供了FinFET的替代方案。與0.9伏的28nm HKMG相比，22FX-ulp通過(guò)采用體偏壓技術(shù)，將功耗效率提升70%以上，提供了可媲美FinFET的功耗和性能。對于某些物聯(lián)網(wǎng)和消費類(lèi)應用，該平臺在優(yōu)化后可工作于0.4V的電壓，在功耗效率上比28nm HKMG提升了90%。 • 22FD-uhp：對于集成模擬的聯(lián)網(wǎng)應用，22FD-uhp產(chǎn)品在優(yōu)化后，可實(shí)現與FinFET相同的超高性能，同時(shí)最大程度減少能耗。22FD-uhp定制化功能包括正向體偏壓、應用優(yōu)化的金屬堆棧，以及支持0.95V的加壓。 • 22FD-ull：面向可穿戴和物聯(lián)網(wǎng)市場(chǎng)的超低漏電產(chǎn)品，具備與22FX-ulp相同的低功耗能力，同時(shí)又將漏電電流降至1pa/um。較低的運行功耗、超低漏電和靈活的體偏壓技術(shù)，這一組合使能耗大幅減少，從而為新型電池供電型可穿戴設備創(chuàng )造了條件。 • 22FD-rfa：射頻模擬產(chǎn)品，可提高數據速率，減省50%的功耗，并降低系統成本，以滿(mǎn)足LTE-A蜂窩收發(fā)器、高階MIMO WiFi整合型芯片、毫米波雷達等大容量RF應用的嚴格要求。RF活動(dòng)設備后門(mén)功能可減少或消除RF信號路徑上的復雜補償電路，讓RF設計人員能夠更好地發(fā)揮設備內在的Ft性能。 格羅方德半導體一直與主要客戶(hù)和生態(tài)系統伙伴開(kāi)展密切合作，研發(fā)更好的設計方法和一整套基本和復雜的知識產(chǎn)權（IP）。公司現提供設計入門(mén)套件和早期版本的工藝設計套件（PDK），并將于2016下半年啟動(dòng)風(fēng)險生產(chǎn)。 |
