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來(lái)源：全球半導體觀(guān)察 今年以來(lái)，ChatGPT持續推動(dòng)生成式AI需求上漲，加上PC與服務(wù)器領(lǐng)域平臺不斷推陳出新，HBM與DDR5等高附加值DRAM芯片備受市場(chǎng)青睞，存儲器大廠(chǎng)不約而同積極布局上述產(chǎn)品。 DDR5：美光發(fā)布新品、三星計劃擴大產(chǎn)線(xiàn) 當前DDR5制程已經(jīng)來(lái)到1β DRAM，今年10月美光科技宣布推出基于1β技術(shù)的DDR5內存，速率高達 7200 MT/s，現已面向數據中心及 PC 市場(chǎng)的所有客戶(hù)出貨。此外，該款DDR5內存采用先進(jìn)的High-K CMOS器件工藝、四相時(shí)鐘和時(shí)鐘同步技術(shù)，相比上一代產(chǎn)品，性能提升高達50%，每瓦性能提升33%。 近期，美光又帶來(lái)了采用32Gb芯片的128GB DDR5 RDIMM 內存，該系列內存具有高達 8000 MT/s 的速度，適用于服務(wù)器和工作站平臺。該款芯片同樣采用美光的1β 技術(shù)，能源效率提高達24%，延遲降低高達16%。此外，美光計劃2024年開(kāi)始推出速度為4800 MT/s、5600 MT/s 和 6400 MT/s 型號，未來(lái)將推出 8000 MT/s 的型號。 另一家存儲大廠(chǎng)三星則致力于提升DDR5產(chǎn)能。此前媒體報道三星計劃擴產(chǎn)高附加值DRAM，將繼續投資先進(jìn)DRAM芯片的基礎設施建設，并擴大研發(fā)支出，以鞏固其長(cháng)期市場(chǎng)領(lǐng)導地位。 最新消息報道，業(yè)內人士透露，三星內部正在考慮擴大DDR5生產(chǎn)線(xiàn)。鑒于DDR5的高價(jià)值及其在PC和服務(wù)器市場(chǎng)的采用，今年基本上被視為“DDR5的大規模采用年”。 HBM：擴產(chǎn)潮開(kāi)啟、營(yíng)收有望顯著(zhù)成長(cháng) AI大勢之下，HBM熱度有增無(wú)減，供不應求態(tài)勢持續。為持續滿(mǎn)足供應，存儲大廠(chǎng)積極擴產(chǎn)。 近期，媒體報道三星電子等廠(chǎng)商正計劃將HBM產(chǎn)量提高至2.5倍。此外，11月初，媒體還報道三星為了擴大HBM產(chǎn)能，已收購三星顯示（Samsung Display）韓國天安廠(chǎng)區內部分建筑及設備，用于HBM生產(chǎn)。據悉，三星計劃在天安廠(chǎng)建立一條新封裝線(xiàn)，用于大規模生產(chǎn)HBM，該公司已花費105億韓元購買(mǎi)上述建筑和設備等，預計追加投資7000億-1萬(wàn)億韓元。 美光方面，11月6日該公司宣布臺灣地區臺中四廠(chǎng)正式啟用。美光表示，臺中四廠(chǎng)將整合先進(jìn)探測與封裝測試功能，量產(chǎn)HBM3E及其他產(chǎn)品，從而滿(mǎn)足人工智能、數據中心、邊緣計算及云端等各類(lèi)應用日益增長(cháng)的需求。 全球市場(chǎng)研究機構TrendForce集邦咨詢(xún)研究顯示，HBM是高端AI芯片上搭載的存儲器，主要由三大供應商三星、SK海力士與美光供應。隨著(zhù)AI熱潮帶動(dòng)AI芯片需求，對HBM需求量在2023年與2024年也隨之提升，促使原廠(chǎng)也紛紛加大HBM產(chǎn)能。展望2024年，HBM供給情況有望大幅改善。而以規格而言，伴隨AI芯片需要更高的效能，HBM主流也將在2024年移轉至HBM3與HBM3e。整體而言，在需求位元提高以及HBM3與HBM3e平均銷(xiāo)售價(jià)格高于前代產(chǎn)品的情形下，2024年HBM營(yíng)收可望有顯著(zhù)的成長(cháng)。 |
