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來(lái)源：TrendForce集邦咨詢(xún) 三大原廠(chǎng)開(kāi)始提高先進(jìn)制程的投片，繼存儲器合約價(jià)翻揚后，公司資金投入開(kāi)始增加，產(chǎn)能提升將集中在今年下半年，預期1alpha nm（含）以上投片至年底將占DRAM總投片比重約40%。其中，HBM由于獲利表現佳，加上需求持續看增，故生產(chǎn)順序最優(yōu)先。但受限于良率僅約50~60%，且晶圓面積相較DRAM產(chǎn)品，放大逾60%，意即所占投片比重高。以各家TSV產(chǎn)能來(lái)看，至年底HBM將占先進(jìn)制程比重35%，其余則用以生產(chǎn)LPDDR5(X)與DDR5產(chǎn)品。 以HBM最新發(fā)展進(jìn)度來(lái)看，TrendForce集邦咨詢(xún)表示，今年HBM3e將是市場(chǎng)主流，集中在今年下半年出貨。目前SK海力士（SK hynix）依舊是主要供應商，與美光（Micron）均采用1beta nm制程，兩家業(yè)者現已正式出貨給英偉達（NVIDIA）；三星（Samsung）則采用1alpha nm制程，預期今年第二季完成驗證，于年中開(kāi)始交付。 預期今年DDR5、LPDDR5(X)滲透率增加，將消耗更多先進(jìn)制程產(chǎn)能 除了HBM需求占比持續增加，PC、服務(wù)器、智能手機三大應用單機搭載容量增長(cháng)，故對于先進(jìn)制程的消耗量也逐季提升，其中又以服務(wù)器的容量提升最高，主要受惠于單機搭載容量1.75TB的AI服務(wù)器所帶動(dòng)。而隨著(zhù)Intel、AMD新平臺Sapphire Rapids、Genoa量產(chǎn)后，其存儲器規格僅能采用DDR5，預期今年DDR5滲透率至年底將逾50%。 與此同時(shí)，由于HBM3e出貨將集中在今年下半年，期間同屬存儲器需求旺季，DDR5與LPDDR5(X)市場(chǎng)預期需求也將看增。但受到2023年虧損壓力影響，原廠(chǎng)產(chǎn)能擴張計劃也較謹慎。整體而言，在HBM投片比重擴大的情況下，將使得先進(jìn)制程產(chǎn)出有限，下半年產(chǎn)能配置將是供給是否充足的關(guān)鍵。 受到HBM產(chǎn)能排擠，若先進(jìn)制程產(chǎn)能擴張不足，DRAM產(chǎn)品恐面臨供不應求 目前新廠(chǎng)規劃如下，三星現有廠(chǎng)房2024年底產(chǎn)能大致滿(mǎn)載，新廠(chǎng)房P4L規劃于2025年完工，同時(shí)Line15廠(chǎng)區將進(jìn)行制程轉換，由1Ynm轉換至1beta nm以上。SK海力士除了M16明年產(chǎn)能預計擴大，M15X同樣亦規劃于2025年完工，并于明年底量產(chǎn)。美光臺灣地區廠(chǎng)區將于明年恢復至滿(mǎn)載，后續產(chǎn)能擴張將以美國廠(chǎng)為主，Boise廠(chǎng)區預期于2025年完工并陸續移機，并計劃于2026年量產(chǎn)。 TrendForce集邦咨詢(xún)表示，盡管三大原廠(chǎng)的新廠(chǎng)將于2025年完工，但部分廠(chǎng)房后續的量產(chǎn)時(shí)程尚未有明確規劃，需依賴(lài)2024年的獲利，才得以持續擴大采購機臺，此也進(jìn)一步推動(dòng)三大原廠(chǎng)堅守存儲器價(jià)格今年漲勢。除此之外，由于NVIDIA GB200將于2025年放量，其規格為HBM3e 192/384GB，預期HBM產(chǎn)出將接近翻倍，且緊接各原廠(chǎng)將迎來(lái)HBM4研發(fā)，若投資沒(méi)有明顯擴大，因各家產(chǎn)能規劃皆以HBM為優(yōu)先，在產(chǎn)能排擠的效應之下，DRAM產(chǎn)品恐有供應不及的可能性。 |
