在本周于舊金山舉辦的SEMICON West大會(huì )上，英特爾的工程技術(shù)專(zhuān)家們介紹了英特爾先進(jìn)封裝技術(shù)的最新信息，并推出了一系列全新基礎工具，包括將EMIB和Foveros技術(shù)相結合的創(chuàng )新應用，以及全新的全方位互連（ODI, Omni-Directional Interconnect）技術(shù)。英特爾的全新封裝技術(shù)將與其世界級制程工藝相結合，助力客戶(hù)釋放創(chuàng )新力，走向計算新時(shí)代。 英特爾公司集團副總裁兼封裝測試技術(shù)開(kāi)發(fā)部門(mén)總經(jīng)理Babak Sabi表示：“我們的愿景是利用先進(jìn)技術(shù)將芯片和小芯片封裝在一起，達到單晶片系統級芯片的性能。異構集成技術(shù)為我們的芯片架構師提供了前所未有的靈活性，使之能夠在新的多元化模塊中將各種IP和制程技術(shù)與不同的內存和I/O單元混搭起來(lái)。英特爾的垂直集成結構在異構集成的時(shí)代獨具優(yōu)勢，它賦予了我們無(wú)與倫比的強大能力，讓我們能夠對架構、制程和封裝同時(shí)進(jìn)行優(yōu)化，從而交付領(lǐng)先的產(chǎn)品�！� 芯片封裝在電子供應鏈中看似不起眼，卻一直發(fā)揮關(guān)鍵作用。作為處理器和主板之間的物理接口，封裝為芯片的電信號和電源提供了一個(gè)著(zhù)陸區。隨著(zhù)電子行業(yè)正在邁向以數據為中心的時(shí)代，先進(jìn)封裝將比過(guò)去發(fā)揮更重大的作用。 封裝不僅僅是制造過(guò)程的最后一步，它正在成為產(chǎn)品創(chuàng )新的催化劑。先進(jìn)的封裝技術(shù)能夠集成多種制程工藝的計算引擎，實(shí)現類(lèi)似于單晶片的性能，但其平臺范圍遠遠超過(guò)單晶片集成的晶片尺寸限制。這些技術(shù)將大大提高產(chǎn)品級性能和功效，縮小面積，同時(shí)對系統架構進(jìn)行全面改造。 作為先進(jìn)封裝技術(shù)的領(lǐng)導者，英特爾能夠同時(shí)提供2D和3D封裝技術(shù)。在SEMICON West大會(huì )上，英特爾分享了三項全新技術(shù)，將為芯片產(chǎn)品架構開(kāi)啟一個(gè)全新維度。 • Co-EMIB：英特爾的EMIB（嵌入式多芯片互連橋接）2D封裝 和 Foveros 3D封裝技術(shù)利用高密度的互連技術(shù)，實(shí)現高帶寬、低功耗，并實(shí)現相當有競爭力的I/O密度。而英特爾的全新Co-EMIB技術(shù)能將更高的計算性能和能力連接起來(lái)。Co-EMIB能夠讓兩個(gè)或多個(gè)Foveros元件互連，基本達到單晶片性能。設計師們還能夠以非常高的帶寬和非常低的功耗連接模擬器、內存和其他模塊。（Co-EMIB技術(shù)視頻） • ODI：英特爾的全新全方位互連技術(shù)（ODI）為封裝中小芯片之間的全方位互連通信提供了更大的靈活性。頂部芯片可以像EMIB技術(shù)下一樣與其他小芯片進(jìn)行水平通信，同時(shí)還可以像Foveros技術(shù)下一樣，通過(guò)硅通孔（TSV）與下面的底部裸片進(jìn)行垂直通信。ODI利用大的垂直通孔直接從封裝基板向頂部裸片供電，這種大通孔比傳統的硅通孔大得多，其電阻更低，因而可提供更穩定的電力傳輸，同時(shí)通過(guò)堆疊實(shí)現更高帶寬和更低時(shí)延。同時(shí)，這種方法減少了基底晶片中所需的硅通孔數量，為有源晶體管釋放了更多的面積，并優(yōu)化了裸片的尺寸。（ODI技術(shù)視頻） • MDIO：基于其高級接口總線(xiàn)（AIB）物理層互連技術(shù)，英特爾發(fā)布了一項名為MDIO的全新裸片間接口技術(shù)。MDIO技術(shù)支持對小芯片IP模塊庫的模塊化系統設計，能夠提供更高能效，實(shí)現AIB技術(shù)兩倍以上的響應速度和帶寬密度。 這些全新技術(shù)共同擴充了英特爾強大的工具箱。它們將與英特爾的制程技術(shù)相結合，成為芯片架構師的創(chuàng )意調色板，讓他們能夠自由設計出創(chuàng )新產(chǎn)品。
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